中科院突破！固态深紫外激光源助力3纳米半导体量产进程

  近日，中国科学院在激光科技领域取得了一项重大突破，成功研发出一款新型的固态深紫外（DUV）激光源。这一成果不仅为半导体制造工艺向3纳米节点的推进提供了关键支撑，也为我国在高端制造领域的发展注入了新的活力。

  新闻背景：中科院突破性进展当前，全球半导体制造技术正朝着更小、更快、更高效的方向发展。然而，受限于光刻技术的瓶颈，半导体工艺的进一步突破显得很困难。中科院此次研发的固态DUV激光源，能够产生与主流DUV曝光技术相匹配的193纳米波长相干光，为解决这一难题提供了新的可能性。相比之下，市场上主流的DUV光刻机主要依赖于氟化氙（ArF）准分子激光技术，而中科院的固态DUV激光技术则采用了全新的设计思路，展现出更低复杂度、更小体积、更低能耗等优势。

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